3.23 Mb.Название страница4/12Дата19.03.2012Размер3.23 Mb.Тип Смотрите также: 4 ^ СТРУКТУРЫ АДРЕСНЫХ ЗУ Адресные ЗУ наиболее широко используются в современных ЭВМ для построения самых разнообразных устройств памяти. В процессе эволюции ЭВМ принципы построения и аппаратная реализация данных ЗУ прошли очень большой путь развития от первых ЗУ на электромагнитных реле до современных БИСов памяти емкостью в сотни Мбайт, которые в качестве ЗЭ используют либо разнообразные триггерные схемы на биполярных полупроводниках, либо МОП-структуры. При этом тип используемых ЗЭ влияет на структуру ЗУ. Кроме того, структура ЗУ во многом определяется особенностями его применения в конкретных устройствах ЭВМ. Все это привело к тому, что в процессе развития возникло весьма большое разнообразие структур ЗУ, которые различаются по способу организации, быстродействию, объему, аппаратурным затратам, стоимости. Ранее отмечалось, что основной частью любой памяти является запоминающий массив (ЗМ), представляющий собой совокупность ЗЭ, соединенных определенным образом. ЗМ называют еще запоминающей матрицей. Каждый ЗЭ хранит бит информации и должен реализовывать следующие режимы работы: хранение состояния (0 или 1); выдачу сигнала состояния (считывание); запись информации (0 или 1). К ЗЭ должны поступать управляющие сигналы для задания режима работы, а также сигналы при записи. При считывании ЗЭ должен выдавать сигнал о своем состоянии, поэтому любой ЗМ имеет систему адресных и разрядных линий (проводников). Адресные линии используются для выделения по адресу совокупности ЗЭ, которым устанавливается режим считывания или записи. Число ЗЭ, входящих в эту совокупность, равно ширине выборки. Иными словами, с помощью адресных линий происходит выбор необходимой ячейки памяти. Разрядные линии используются для записи или считывания информации в ЗЭ каждого разряда ячейки памяти. Адресные и разрядные линии носят общее название линий выборки. В зависимости от числа таких линий, соединенных с одним ЗЭ, различают двух-, трехкоординатные ЗУ и т.д., называемые ЗУ типа 2D, 3D, 2.5D, 2D-M (от слова dimension размерность), и их разнообразные модификации. ЗУ ТИПА 2D Организация ЗУ типа 2D обеспечивает двухкоординатную выборку каждого ЗЭ ячейки памяти. Основу ЗУ составляет плоская матрица из ЗЭ, сгруппированных в 2k ячеек по n разрядов. Обращение к ячейке задается k-разрядным адресом, что дает одну координату. Выделение разрядов производится разрядными линиями записи и считывания, что дает вторую координату. Очень упрощенная структура ЗУ типа 2D представлена на рис. 3.5. Адрес из k разрядов поступает на блок адресной выборки БАВ (который называют также адресным формирователем), управляемый сигналами Чт и Зап. Основу БАВ составляет дешифратор с 2k выходами, который при поступлении на его вход адреса формирует сигнал для выбора линии i. В зависимости от сигнала Чт или Зап БАВ в общем случае выдает сигнал, настраивающий ЗЭ i-й ячейки (i-й линии) на чтение либо на запись. Выделение разряда j в i-м слове (ЗУ серого цвета) производится второй координатной линией. При записи по линии j от БУЗ поступает сигнал, устанавливающий выбранный для записи ЗЭi,j в состояние 0 или 1. При считывании на БУС по линии j поступает сигнал о состоянии ЗЭi,j. Следует иметь в виду, что ЗЭ должны допускать объединение выходов для работы на общую линию с передачей сигналов только от выбранного ЗЭ. Это свойство ЗЭ используется во всех современных ЗУ. Таким образом, каждая адресная линия выборки ячейки памяти в общем случае передает три сигнала: выборка при записи; выборка при считывании; отсутствие выборки. Однако во многих современных ЗУ достаточно только двух сигналов выборка и отсутствие выборки. Каждая разрядная линия записи передает в ЗЭ записываемый бит информации, а разрядная линия считывания считываемый из ЗЭ бит информации. Линии записи и считывания могут быть объединены в одну при использовании ЗЭ, допускающих соединение выхода со входом записи. В современных ЗУ широко используются совмещенные функции линий считывания и записи. ЗУ типа 2D являются быстродействующими и достаточно удобными для реализации. Однако такие ЗУ неэкономичны по объему оборудования из-за наличия дешифратора на 2k выходов. В настоящее время структуры типа 2D используются, в основном, в ЗУ небольшой емкости (не более 1 К). ^ ЭЛЕМЕНТЫ ЗУ С ПРОИЗВОЛЬНЫМ ОБРАЩЕНИЕМ Непрерывное совершенствование элементной базы, а также многообразие вариантов целевого использования ЗУ внутренней памяти ЭВМ привело к созданию большого количества разновидностей ЗЭ. Ниже кратко рассмотрены наиболее характерные типы ЗЭ, используемые в ЗУ универсальных ЭВМ и специализированных цифровых устройств. ^ ЗЭ НА ФЕРРИТОВЫХ КОЛЬЦАХ Памяти на магнитных (ферритовых) сердечниках с прямоугольной петлей гистерезиса появились в начале 50-х годов и сыграли большую роль в увеличении объемов ОП и производительности ЭВМ. Однако появившиеся ЗУ на дискретных биполярных транзисторах, а в середине 60-х годов первые БИСы памяти малой степени интеграции стремительно вытеснили ЗУ на магнитных сердечниках. В настоящее время ЗУ на магнитных сердечниках используются только в специализированных ЭВМ, работающих в особых условиях. Это связано с тем, что такие ЗУ энергонезависимы, не боятся радиации
СТРУКТУРЫ АДРЕСНЫХ ЗУ - Написать фрагмент программы на языке Ассемблера Вычисление выражения D=A+b-c, где A=2, В=3, С=4
Комментариев нет:
Отправить комментарий